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深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响
  • 项目名称：深能级陷阱对CdZnTe晶体电学性能及辐射探测器性能的影响
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61274081
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：查钢强
  • 依托单位：西北工业大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 5
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期刊论文
Defects in CdMnTe crystals for nuclear detector applications
温度梯度溶液法生长ZnTe晶体时生长界面的优化设计
CdZnTe像素探测器的制备与表征
ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)
热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)
查钢强的项目
CdZnTe单晶表面与界面基本物理特性研究
期刊论文 22