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中文摘要：
利用MOCVD在不同条件下、不同类型衬底上生长GaN材料和低维结构，获得同等局域化效应下的极性与非极性的GaN材料及量子阱结构，对比分析两者在各种光致荧光（光荧光谱，激发谱，吸收谱，调制吸收谱，激发谱，瞬态谱等）和电致荧光谱线结构的差异，分离极化效应和局域化效应，统计的系统研究极化效应和局域化效应具体对GaN量子阱发光效率的影响，探索GaN基LED的发光机理。弄清其发光本质将对指导GaN基LED材
结论摘要：
GaN基发光二极管是21世纪的重要的高技术产业，研究GaN材料的发光机理对于提高发光效率是很重要的。我们对于GaN基发光二极管材料的发光机理进行了深入的研究，得到了一些影响发光效率的原因，同时得到了影响GaN基发光效率的InGaN材料的结构因素。通过非对称耦合阱遂穿结构的研究，使得GaN蓝光LED的内量子效率从20%提高到50%。同时我们发明了单芯片白光的外延结构，并看到了白光发射。R面蓝宝石上生长A面GaN X射线衍射半峰宽达到国际先进水平。 发表SCI文章21篇，申请国际专利1项。
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