中文摘要：

利用多孔氧化铝的孔洞阵列体系作为模板，采用电化学方法在模板中合成金属纳米线阵列。利用高分辨变温x射线衍射，在10K－熔点附近测量纳米线在不同温度下的衍射谱。根据衍射谱峰位的移动计算出纳米线的热膨胀系数。通过改变氧化铝模板孔洞阵列的孔径，从而得到不同直径的纳米线阵列，研究纳米线的膨胀系数与纳米线的直径之间的关系。该项目的研究意义在于首次研究金属纳米线的热膨胀系数，探索金属纳米线的热膨胀特性与纳米线直

结论摘要：

利用多孔氧化铝的孔洞阵列体系作为模板，采用电化学方法在模板中合成金属纳米线阵列。利用高分辨变温x射线衍射，测量纳米线在不同温度下的衍射谱。根据衍射谱峰位的移动计算出纳米线的热膨胀系数。发现对于金属Zn纳米线的热膨胀系数在a轴方向与普通块体Zn没有区别，但在z轴方向纳米线的膨胀系数远小于块体Zn。对于Pb纳米线仍然保持块体Pb的面心立方结构，但在孔洞中沿[110]取向，膨胀系数远小于块体Pb。从结果中我们发现，纳米线沿径向的膨胀系数小于相应块体材料。这些结果可能是由于纳米材料可以分为晶粒组分和界面组分，界面组分和晶粒组分有不同的膨胀系数。随温度增加界面原子重排导致界面膨胀系数减小，结果出现膨胀系数减小。研究了纳米半导体AgI的相变和膨胀系数，首次利用变温x射线衍射测量了不同相结构的纳米AgI的膨胀系数。结果发现AgI不同的相有不同的膨胀系数。