位置：成果数据库 > 著作 > 著作详情页
Undoped Gallium Antimonide Studied by Positron Annihilation Spectroscopy
  • 所属机构名称：中国科学技术大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 799, Z5.30.1 (2004)
  • 语言：英文
  • 相关项目：化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
作者： S.K. Ma|C.C. Ling|H.M. Weng|and D.S. Hang|
同著作项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
期刊论文 3 著作 26
同项目著作
A Digital measurement system of 2-detector Doppler broadening
金属的正电子双多谱勒展宽谱研究
Microstructure of carbon filled HDPE/EPDM composites studied by positron annihilation spectroscopy
Tungsten mesh as positron transmission moderator in a monoenergetic positron beam
La0.7 Sr0.3MnO3 外延膜缺陷性质的慢正电子束研究
Millimeter Positron Focusing Using a Hybrid Lens Design
碳同素异形体的康普顿轮廓研究
正电子寿命-动量关联技术
聚乙烯的多重弛豫与正电子湮没寿命谱
Background substaction of digital coincidence Doppler broadening spetra
康普顿散射谱仪的自动控制
已经投出
辐照交联聚乙烯的正电子湮灭研究
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
Background substaction of digital coincidence Doppler broadening spetra
康普顿散射谱仪的自动控制
已经投出
辐照交联聚乙烯的正电子湮灭研究
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
碳同素异形体的康普顿轮廓研究
Vacancies in electron irradiated 6H silicon carbide studied by positron annihilation spectroscopy
Electron-irradiated liquid encapsulated Czochralski grown undoped gallium antimonide studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
Identities of the deep level defects E1/E2 in 6H silicon carbide
Positron lifetime studies on 8 MeV electron-irradiated n-type 6H silicon carbide
聚乙烯的多重弛豫与正电子湮没寿命谱