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Vacancies in electron irradiated 6H silicon carbide studied by positron annihilation spectroscopy
  • 所属机构名称：中国科学技术大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 792, R3.19 (2004).
  • 语言：英文
  • 相关项目：化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
作者： C.H. Lam|C.C. Ling|H.M. Weng|Deng-sheng Hang|C.D. Beling|S. Fung||
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