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MOSFETs: Properties, Preparations and Performance Chapter 8: Quantum, Self Heating and Hot Electron Effects of Si-Based Double-Gate MOSFET and GaN-Based MOS-HFET
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Nova Science Publishers USA
  • 相关项目：铁磁半导体异质结构自旋相关性质的第一性原理研究
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