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Identities of the deep level defects E1/E2 in 6H silicon carbide
  • 所属机构名称：中国科学技术大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Materials Science Forum, Vols. 445-446, pp. 135-137, 2004
  • 语言：英文
  • 相关项目：化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
作者： C.C. Ling|X.D. Chen|M. Gong|H.M. Weng|D.S. Hang|C.D.Beling|S. Fung|T.W. Lam|C.H. Lam|
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