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用透射电镜（TEM）及X射线能谱（EDXA）研究半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的微缺陷
  • 所属机构名称：河北工业大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：稀有金属　Vol.28,No.3,2004.6
  • 语言：中文
  • 相关项目：Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
作者： 王海云|张春玲|唐蕾|刘彩池|申玉田|徐岳生|覃道志|
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