位置：成果数据库 > 著作 > 著作详情页
半绝缘砷化镓衬底中AB微缺陷对MEFET器件性能的影响
  • 所属机构名称：河北工业大学
  • 成果类型：著作
  • 出版社：半导体学报（Vol.26,No.1,Jan.2005）
  • 语言：中文
  • 相关项目：Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
作者： 徐岳生|付生辉|刘彩池|王海云|魏欣|郝景臣|
同著作项目
Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
期刊论文 2 会议论文 5 著作 8
同项目著作
半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷
用X射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构
半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布
LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
用透射电镜（TEM）及X射线能谱（EDXA）研究半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的微缺陷
半绝缘砷化镓单晶中的碳微区分布的研究
The cell structures in the large diameter semi-insulating gallium arsenide