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Resistance switching effects of metal oxide thin films for nonvolatile random access memory applications, in Advances in Nanotechnology Vol. 3 (Edited by Zacharie Bartul and Jér?me Trenor), Ch.6, Nova
  • 国际标准书号：ISBN: 978-1-61668-161-6
  • 所属机构名称：中山大学
  • 页码：221-238
  • 成果类型：著作
  • 出版社：Nova Science Publishers (USA)
  • 相关项目：高性能微波介电薄膜的性能调控及可调机理研究
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