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Design consideration of ion implantation in dopant segregation technique at NiSi/Si interface
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 成果类型：会议
  • 会场：Shanghai, China
  • 相关项目：适于32纳米及以下集成电路技术节点的新型源漏结构GOI器件的研究
作者： Huang, Ru|Guo, Yue|Zhang, Xing|An, Xia|
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