中文摘要：

新型高迁移率Ge沟道器件是近年来的研究热点之一，它可以突破传统硅材料的限制，获得更优异的器件性能，尤其是对pMOSFET器件。因此Ge基器件被认为是非常有希望的器件之一，国际上亦对此开展了广泛的研究。目前研究大多集中在高K栅介质/金属栅、及与Si CMOS工艺的集成方面。本项目针对高迁移率沟道器件工艺集成中存在的问题，从源漏工程角度对关键工艺模块进行了研究，得到了NiGe制备的工艺条件并分析了离子注入对NiGe的影响；提出了适于Ge基器件的杂质后注入(IAG)的杂质分凝技术并进行了实验研究，通过采用优化的工艺条件，空穴势垒高度降至0.06eV，器件的开关比达到106，体现出很好的整流特性,并得到了采用IAG方法实现锗基肖特基势垒调控的优化的工艺温度窗口；通过注入n型杂质P成功实现了电子势垒的降低，电子势垒降至0.11eV左右；针对金属锗化物NiGe薄膜质量易发生退化的问题，提出了一种简单有效的氟化铵表面预处理方法，可同时提高金属锗化物的薄膜形貌和热稳定性及电学性能；在此基础上完成了新型源漏结构GOI NMOS演示器件的制备。并在EDL、APL上发表了相关研究成果，申请国内专利8项。