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Characterization of HfO2/Al2O3 Gate Dielectric Nanometer-Stacks Grown by Atomic Layer Deposition on
  • 所属机构名称：北京有色金属研究总院
  • 会议名称：2nd International Advances in Applied Physics and Materials Science Congress
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
作者： Xue-Fei Li, Ai-Dong Li,Xu Qian, Ying-Ying Fu, Di W|
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