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Physical Clarification of Flatband Voltage Shift Based on Band Alignment of High-k/Metal Gate Stack
  • 所属机构名称：北京有色金属研究总院
  • 会议名称：IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 时间：2011
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：铪基稀土金属多元氧化物高K栅介质的基础研究
作者： Xiaolei Wang, Wenwu Wang, Kai Han, Jing Zhang, Xu|Tianchun Ye|
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