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Experimental research on the damage effect of HPM on semiconductor bipolar transistor
所属机构名称:西安电子科技大学
会议名称:2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
成果类型:会议
相关项目:典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究
作者:
You, Hailong1|Fan, Juping1, 2|Jia, Xinzhang1|Zhang, Ling1|
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Study of Damage Mechanism and Process of nMOSFET due to High Power Microwave Injected From Drain