位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Study of Damage Mechanism and Process of nMOSFET due to High Power Microwave Injected From Drain
  • 所属机构名称：西安电子科技大学
  • 会议名称：2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究
作者： Jian-Chun Lan|Hai-Long You|Quan Chen|Xin-Zhang Jia|Xiao-Zhe Zhang|
同会议论文项目
典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究
期刊论文 1 会议论文 3
同项目会议论文
Experimental research on the damage effect of HPM on semiconductor bipolar transistor
Research on CMOS inverter latch-up triggered by nMOS channel capacitance under HPM interference