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生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：第十四届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议，北海，2006.11
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InN材料的MOCVD生长研究
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