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中文摘要：
作为III族氮化物半导体材料体系中的一员，氮化铟（InN）具有许多重要潜在应用。首先，如果最终确定的InN的禁带宽度为～0.7eV，那么基于III族氮化物体系的光电子器件的波段范围将从紫外拓展到红外。其次根据理论计算预测，InN具有优异的电学性质，这就使得其在光电、微电领域都有着重要的应用。但目前对于InN的研究明显落后于其它氮化物半导体材料，尤其是InN的MOCVD生长技术，近年来进展甚微。因此，本项目目标是使用MOCVD方法生长出适于器件应用的高质量的InN单晶薄膜，研究内容包括MOCVD生长参数的选择与优化；找到采用MOCVD两步法生长较高晶体质量InN单晶薄膜的比较成熟的条件，了解缓冲层与高温外延生长条件对提高InN晶体质量，及降低本底载流子浓度，提高载流子迁移率的影响；确定InN的基本物理参数，分析与晶体结构、缺陷密度及本底载流子浓度的关系，生长InN材料的极性研究等。
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