欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Enhancement of p-type dopability in ZnMgO by regulating the band alignment
所属机构名称:浙江大学
会议名称:8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
时间:2014.9.7
成果类型:会议
相关项目:MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
同会议论文项目
MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
期刊论文 48
会议论文 9
获奖 2
专利 2
同项目会议论文
提升ZnO发光效率的机制研究及薄膜晶体管研制
ZnO材料可控制备及光电性能调节与应用
High quality ZnO-based films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
High quality ZnO-based films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
ZnO基材料的掺杂、能带调控与光电应用
MOCVD生长ZnO材料及其性能调控
Research on p-type doping,band gap engineering,thin-film transistors based on ZnO & related oxid
氧化锌基材料的能带结构与光电性能的调控机理及应用