在节能减排的国家重大战略背景下,ZnO有望成为新型半导体白光照明芯片材料。要研制实用的ZnO-LED,需重点解决优质p型ZnO及其稳定性;ZnO-LED发光的高效性;LED制备工艺的工业化等关键问题。本项目将以MOCVD法制备Na掺杂p型ZnO单晶薄膜为核心内容,进一步研究p型掺杂的高效性和稳定性;研究MOCVD及其掺杂工艺,实现高质量同质外延和多量子阱生长; LED结构设计与器件工艺研究,提高外量子效率。为新型半导体白光照明进行前沿研究。
p-type doping;homoepitaxy;acceptor levels;C5H5Na;MOCVD
首创一种可用于MOCVD系统中对ZnO进行Na掺杂的MO源(环戊二烯基钠),获美国发明专利US8722456B2。本项目研究发现Na掺杂使费米能级移向价带顶,并且补偿了靠近导带的施主型能级,使ZnO:Na薄膜呈现p型导电;此外,Na掺杂可提高ZnO薄膜的发光内量子效率。采用第一性原理理论计算研究了Na与氧空位(Vo)的作用机理。Na与Vo同时存在时,形成Na-Vo复合体会增加体系稳定性。首次发现空位缺陷依次俘获载流子的新行为氧空位优先俘获光生载流子并产生发光;当氧空位被填满之后,锌空位才俘获光生载流子并产生发光。在ZnO中首次发现同一种杂质Na存在2个能级,分别为160 meV和300 meV。揭示了Na受主失活过程及Na掺杂极性调控特性Na存在从替代位向间隙位转变的动力学过程;自发极化效应使非极性取向的ZnMgO:Na薄膜VBM上移导致受主能级变浅、CBM上移导致施主能级变深使得非极性取向更容易实现p型。制备出优质ZnO、ZnMgO单晶薄膜和ZnO/ZnMgO多量子阱结构,并率先开展ZnO同质外延,生长出优质ZnO、ZnMgO外延层,为高效发光器件奠定基础。发明Na、Mg共掺技术,通过局域应变调控制备出p型ZnMgO薄膜,并实现室温电致发光。