位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
InGaN/GaN微米LED的阴极荧光mapping研究
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会，分会邀请报告
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：大注入条件下高发光效率GaN基LED有源区结构研究
同会议论文项目
大注入条件下高发光效率GaN基LED有源区结构研究
期刊论文 19 会议论文 1
同项目会议论文