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大注入条件下高发光效率GaN基LED有源区结构研究
  • 项目名称：大注入条件下高发光效率GaN基LED有源区结构研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60876063
  • 申请代码：F040502
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：陈志忠
  • 负责人职称：副教授
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

大注入条件下高发光效率GaN基LED对通用照明的应用具有巨大的价值，它不但方便二次光学设计，而且还将显著降低光源制作成本和使用成本。但是在目前常用的技术水平下，大注入条件下LED发光效率显著下降，主要原因是大注入下有源区中俄歇复合和注入效率变差。本项目的研究目的是得到至少一种大注入下高效发光的LED结构，同时基于该结构对载流子注入、复合机制进行研究，发展大注入条件下的器件物理。本项目的主要研究内容包括（1）电子阻挡层和电子驻留层结构的研究；（2）双异质结构LED的研究；（3）AlInGaN/InGaN多量子阱LED研究。通过研究解决载流子的高效率注入，应力可控的高质量InGaN有源区生长，AlInGaN垒层的结构对InGaN复合机制的影响等问题，从而解决半导体照明的关键技术和理论问题。课题申请人及其课题组近年来一直致力于半导体照明的研究，取得了富有特色的研究成果，积累了大量的经验。

中文主题词： 发光二极管；大注入；有源区；InGaN；量子效率
成果综合统计
成果类型
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期刊论文
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Efficiency droop behaviors of the blue LEDs on patterned sapphire substrate*
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
Quasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN template
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