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Study the effects of the doped-B atom on silicon nanodot
  • 所属机构名称：苏州大学
  • 会议名称：2007 8th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT
  • 成果类型：会议
  • 会场：Shanghai, China
  • 相关项目：氢、氧、氮相关缺陷的精细电子结构对下一代GLSI电路性能的影响
作者： Mao, L.F.|Wang, Z.O.|
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