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Si衬底上生长氮化镓的研究
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：口大会特邀报告，第九届全国MOCVD学术会议，2005年4月23－28日，安徽黄山
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究
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