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MOCVD生长氧化锌和氮化铟材料
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：口分会特邀报告，第十四界全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议，2006年11月，广西北海
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究
作者： 刘祥林
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