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Growth and characterization of short-period InAs/GaSb superlattice photoconductors
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：Infrared Systems and Photoelectronic Technology III
  • 成果类型：会议
  • 会场：San Diego, CA, United states
  • 相关项目：1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
作者： Xu, Yingqiang|Guo, Jie|Sun, Weigo|Niu, Zhichuan|Zhou, Zhiqiang|
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