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2~3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料
所属机构名称:中国科学院半导体研究所
会议名称:2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会
成果类型:会议
会场:中国上海
相关项目:1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
作者:
周志强|郝瑞亭|徐应强|牛智川|任正伟|
同会议论文项目
1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
期刊论文 16
会议论文 2
同项目会议论文
Growth and characterization of short-period InAs/GaSb superlattice photoconductors