欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Ba0.6Sr0.4TiO3 Thin Films used as Gate Dielectric in Pentacene Transistors
所属机构名称:清华大学
成果类型:会议
相关项目:有机薄膜晶体管绝缘层界面修饰及相关材料制备研究
同会议论文项目
有机薄膜晶体管绝缘层界面修饰及相关材料制备研究
期刊论文 16
会议论文 5
同项目会议论文
The optoelectronic properties of organic transistors and all-small-molecule organic optocouplers
Improved Performance of Organic Thin film Transistors with an Inorganic Oxide/Polymer Double-layer I
Pentacene Thin-Film Transistors with Ta2O5 as the Gate Dielectric
Research on the Stability of Pentacene Transistors Based on Ta2O5 Gate Insulator