位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
DC and analog/RF comparisons of Si- and Ge- nanowire Schottky barrier transistors
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究
作者： Pu, Jing|Sun, Lei|Han, Ru-Qi|
同会议论文项目
双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究
期刊论文 4 会议论文 4
同项目会议论文
Performance estimations of gate-all-around silicon nanowire FETs with asymmetric barrier heights at
Studies on I-V performance enhancements of ZnO thin film transistors by vacuum treatments below 300C
Surface uniform wet etching of ZnO films and influence of oxygen annealing on etching properties