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Performance estimations of gate-all-around silicon nanowire FETs with asymmetric barrier heights at
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：10th International Workshop on Junction Technology, IWJT-2010
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：双栅锗基肖特基源漏MOSFET器件的研究
作者： Pu, Jing|Sun, Lei|Han, Ru-Qi|
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