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4H-SiC Junction Barrier Schottky diode with embedded P-layer
  • 所属机构名称：西安电子科技大学
  • 会议名称：2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010
  • 时间：2010
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型高功率4H-SiC JBS二极管的研究
作者： Zhang, Yimen|Zhang, Yuming|Tang, Xiaoyan|Wang, Yuehu|Jia, Renxu|Song, Qingwen|Chen, Fengping|
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