欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Stress-free GaN films directly grown on wet-etched patterned sapphire substrates by HVPE
所属机构名称:中国科学院半导体研究所
成果类型:会议
相关项目:m面蓝宝石上非极性与半极性GaN衬底的生长及相关材料问题研究
同会议论文项目
m面蓝宝石上非极性与半极性GaN衬底的生长及相关材料问题研究
期刊论文 16
会议论文 2
同项目会议论文
Hydride vapor phase epitaxy for nonpolar and semipolar GaN thick film