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m面蓝宝石上非极性与半极性GaN衬底的生长及相关材料问题研究
  • 项目名称：m面蓝宝石上非极性与半极性GaN衬底的生长及相关材料问题研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60806001
  • 申请代码：F040101
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：魏同波
  • 负责人职称：副研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2008
中文摘要：

当前困扰GaN基LED、LD等光电子器件性能提高的主要问题是异质外延产生的高缺陷密度和极化效应引起的内建电场，因而利用HVPE技术沿非c轴方向外延高质量GaN单晶衬底，从而实现非极性同质外延，就成为了解决上述问题的关键所在，具有重大科学意义和研究价值。本项工作通过适当的缓冲层，利用HVPE技术在m面蓝宝石上生长(10-10)非极性和(10-13)半极性GaN厚膜，探索外延GaN晶向与初始成核层的内在关系，研究晶向偏离的物理机制；利用横向外延、图形衬底、周期性中断生长等技术，优化生长工艺，进一步降低外延材料的缺陷密度，阐述缺陷和应变降低机制；在上述基础上插入多孔中间层实现外延厚膜与宝石衬底的自剥离，得到大尺寸非极性和半极性GaN自支撑衬底。本项目的开展将为GaN基光电器件的研究提供新的技术路线和工艺途径。

中文主题词： GaN；HVPE；非极性；半极性；自支撑衬底
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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期刊论文
Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using
Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes
Enhancement in the Light Output Power of GaN-based Light-Emitting Diodes with Nano-textured Indium T
Light extraction efficiency improvement by curved GaN sidewalls in InGaN-based light-emitting diodes
Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emi
Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown free-standing G
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
Hydride vapor phase epitxay growth of semipolar (10) GaN on patterned m-plane sapphire
自支撑GaN厚膜的制备及其光学性能的研究
Mechanical deformation behavior of nonpolar GaN thick films by berkovich nanoindentation
Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-a
Growth of (10) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitxaxy
Catalytic activation of Mg-doped GaN by hydrogen desorption using different metal thin layers
MOCVD Epitaxy of InAlN on Different Templates
会议论文
Hydride vapor phase epitaxy for nonpolar and semipolar GaN thick film
Stress-free GaN films directly grown on wet-etched patterned sapphire substrates by HVPE
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