位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
脉冲激光模拟单粒子效应系统与实验方法进展综述
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：中国核学会物理分会2014年学术交流会
  • 时间：2014.10.28
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
同会议论文项目
面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
期刊论文 18 会议论文 18
同项目会议论文
空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究
3D TCAD Simulation of Single-Event-Effect in N-Channel Transistor based on Deep Sub-Micron Fully-Dep
3-D Geant4 Simulation of Deep Sub-Micron SOI SRAM Irradiated by Proton
A Digital Direct Controller for Buck Converter
Stability Analysis for Integrated DC/DC Converters
Single Event Transient in PDSOI CMOS Inverter Chain Irradiated by Pulsed Laser
面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究
0.18微米PDSOI MOSFET激光模拟单粒子瞬态分析
正面入射单光子吸收激光脉冲单粒子效应测试影响因素研究
空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究
Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator
Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories
Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究
DSOI FET – A Novel TID Tolerant SOI Transistor
RRAM: Potential Candidate for Space Electronics?
Effects of Contact Materials and Geometry on Pulsed-Laser Single Event Transient Testing
Mitigation of Soft Errors in Resistive Switching Random-Access-Memories