位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Performance analysis of 256 element linear 2.4m InGaAs photovoltaic detector arrays
  • 所属机构名称：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 会议名称：Infrared Materials, Devices, and Applications
  • 成果类型：会议
  • 会场：Beijing, China
  • 相关项目：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
作者： Li, Xue|Tang, Hengjing|Gong, Haimei|Zhang, Yonggang|Wu, Xiaoli|Zhang, Kefeng|
同会议论文项目
室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
期刊论文 64 会议论文 11 专利 5
同项目会议论文
In_(0．53)Ga_(0．47)As/InP红外探测器材料与线列器件
High uniformity InGaAs linear mesa-type SWIR focal plane arrays
平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究
Improved Au/Zn/Au ohmic contacts for p-type InP
InGaAs/InP红外探测材料与线列器件的研究
LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器
正、背照InGaAs探测器的性能对比研究
生长温度对In_(0．82)Ga_(0．18)As表面形貌和结晶质量的影响
Low-frequency noise characteristics of extended wavelength InGaAs infrared detector
Analysis of crosstalk in front-illuminated InGaAs PIN hetero-junction photovoltaic infrared detector