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室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
  • 项目名称：室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：50632060
  • 申请代码：E0207
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2007-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人：宋航
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 批准年度：2006
中文摘要：

在短波红外波段（1－3μm），InGaAs探测器具有可在室温下工作、探测率高、器件性能稳定和易于制作等优点，可应用于空间遥感、航空、军事等方面，引起人们的高度重视。本项目研究响应波段在1.0-2.4μm 的InxGa1-xAs材料及短波红外线列焦平面。提出了两步生长法制备红外探测材料InxGa1-xAs并验证了两步生长法对解决高In组分InxGa1-xAs晶格失配是有效的。研究了生长条件对InxGa1-xAs、InAsyP1-y材料性能的影响，生长不同探测范围0.9－1.75μ m和1.8～2.4 μ m的InxGa1-xAs探测器器件结构材料。进行了InGaAs探测器的器件物理研究，分析了器件的暗电流和噪声机制。解决了提高探测器性能的工艺制备技术，成功实现了光谱仪用1.75μm以及2.4μm 256×1 InGaAs 线列焦平面原型器件。进行了InxGa1-xAs探测器航天工作可靠性研究，探测器抗辐照性能良好，满足空间应用要求。本项目的完成，将使我国1.75μm 和2.4μm 新型短波红外航天遥感仪器以及短波红外光谱仪和红外干涉光谱仪采用国产核心器件成为可能。

中文主题词： 铟镓砷薄膜；低压金属有机化合物化学汽相淀积；铟镓砷红外探测器；线列焦平面； 航天遥感
结论摘要：

英文主题词InGaAs thin films;Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition; InGaAs Infrared detector;infrared focal plane line array;Space remote sensing

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 64
  • 11
  • 5
  • 0
  • 0
期刊论文
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