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Microdefects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
  • 所属机构名称：浙江大学
  • 会议名称：14th International Biannual Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology,
  • 成果类型：会议
  • 会场：Loipersdorf
  • 相关项目：重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
作者： Ma, Xiangyang|Wang, Zhenhui|Yang, Deren|
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