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Impact of stress on band-to-band tunneling current in SOI MOSFET based on first-principles calculati
  • 所属机构名称：苏州大学
  • 会议名称：IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
  • 时间：2011.11.11
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米集成电路的量子混沌及其对电路性能的影响
作者： Li, Y.Z.|Zhang, L.J.|Wang, Z.O.|Chen, Z.|Li, Y.Q.|Lu, Z.H.|Mao, L.F.|
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