欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
GSMBE生长重碳掺杂p型GaAsSb及其特性研究
所属机构名称:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
会议名称:第七届全国分子束外延学术会议
成果类型:会议
相关项目:InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
作者:
孙浩|齐鸣|徐安怀|艾立鹍|朱福英|
同会议论文项目
InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
期刊论文 8
会议论文 3
同项目会议论文
InP基DHBT阶梯缓变集电区结构的GSMBE生长及其特性研究
Analysis and growth of InP/InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with composite colle