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InP基DHBT阶梯缓变集电区结构的GSMBE生长及其特性研究
  • 所属机构名称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 会议名称：第七届全国分子束外延学术会议
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究
作者： 朱福英|孙浩|齐鸣|艾立鹍|徐安怀|
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