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Near Infrared Electroluminescence from n-InN/p-GaN and n-InN nanodots/p-Si Light-Emitting Diodes
  • 所属机构名称：吉林大学
  • 会议名称：International Workshop on Nitride Semiconductors
  • 时间：2012.10.17
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InN基窄带隙半导体材料的加压MOVPE生长与物性研究
作者： Zhang, Yuantao (通讯作者)|Li, Wancheng|Gao, Fubin|Cai, Xupu|Jing, Qiang|Liang, Hongwei|Zhang, Baolin|Wang, Xinqiang|Du, Guotong|
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