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任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维耐压模型
  • 所属机构名称:南京邮电大学
  • 会议名称:中国电子学会第十五届青年学术年会,2010,pp.167-171
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:基于标准CMOS工艺的新型表面超级结射频LDMOS及其模型研究
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