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基于标准CMOS工艺的新型表面超级结射频LDMOS及其模型研究
  • 项目名称：基于标准CMOS工艺的新型表面超级结射频LDMOS及其模型研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60806027
  • 申请代码：F040403
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：郭宇锋
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：南京邮电大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

本项目针对集成射频功率器件，从器件结构和器件模型两方面开展创新研究。提出一个新器件，三个新模型。对于器件结构，提出一种采用标准超深亚微米CMOS工艺制造表面超级结的新方法，基于此方法制造功率器件，可使击穿电压提高30％而导通电阻降低20％。对于器件模型，首先基于分区求解二维泊松方程，提出任意纵向掺杂漂移区功率器件的RESURF模型，为优化功率器件漂移区纵向杂质分布提供理论依据。其次基于求解沟道连续性方程，首次提出RF LDMOS非准静态大信号解析模型，对工作在吉赫兹以上的小尺寸RF LDMOS的大信号特性进行精确模拟。最后提出超深亚微米/纳米MOS晶体管的三维表面电势和电场准解析模型，用于定量描述短窄沟耦合效应，为建立精确的深亚微米/纳米MOS器件集约模型奠定基础。本研究是一项国际同步的普适性、创新性基础研究，对超高速集成射频功率器件和射频功率放大器的设计具有重要理论意义和实践意义。

中文主题词： RF LDMOS；超级结；RESURF；非准静态大信号模型
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 著作
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  • 4
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期刊论文
A Three-dimensional Breakdown Model of SOI Lateral Power Transistors with a Circular Layout
5Gb/s 0.18μm CMOS 半速率时钟与数据恢复电路设计
梯子形石墨烯纳米条带输运性质的研究
基于分组码的改进型防碰撞算法研究
Combining 2D and 3D Device Simulations for Optimizing LDMOS Design
A three dimension analytical model of surface electric field distributions for SOI lateral super jun
改进型自适应多叉树防碰撞算法研究
0.18μm CMOS集成时钟产生功能的10Gb/s复接器设计
任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型
变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计
具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计
Analysis of Si3N4 Passivation effect by Self-Consistent Electro-Thermal-Mechanical Simulation in AlG
Comparison of High Voltage (200-300 Volts) Lateral Power MOSFETs for Power Integrated Circuits
Reduction of Kink Effect in SOI LDMOS Structure with Linear Drift Region Thickness
An 800 volts high voltage interconnection level shifter using floating poly field plate(FPFP) method
Multi-reversed-junction LDMOST with very high breakdown voltage per unit length
Variation of Lateral Thickness Techniques in SOI Lateral High Voltage Transistors
A 2D Analytical Model of Bulk-silicon Triple RESURF Devices
A 2.5-Gb/s fully-integrated, low-power clock and recovery circuit in 0.18-um CMOS
一种不用先验知识的单路混合信号的盲源分离新方法
一种新型的基于最大特征值的合作频谱感知算法
基于数据融合的三段式心音身份识别技术
A novel 800V multiple RESURF LDMOS utilizing linear P-top rings
Double snapback effect in LDMOS based on non-isothermal simulation
A Novel L band Satellite Beacon Receiver Based on Zero IF Converter
SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展
A High Performance Silicon-on-Insulator LDMOSTT Using Linearly Increasing Thickness Techniques
A 5-Gbit／s monolithically-integrated low-power clock recovery circuit in 0.18-μm CMOS
A Novel RF SOI LDMOS with a Raised Drift Region
基于标签识别码分组的连续识别防碰撞算法研究
基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术
A 2.5-Gb/s fully-integrated, low-power clock and recovery circuit in 0.18-μm CMOS
A three-dimensional breakdown model of SOI lateral power transistors with a circular layout
自旋场效应晶体管的电学特性研究
石墨烯纳米条带的电子输运性质研究
准一维碳纳米管的含时输运性质的研究（英文）
非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究
集成时钟产生功能的0．18μmCMOS10Gb／s复接器的设计
5-Gbit／s0．18-μm CMOS单片集成低功耗时钟恢复电路设计
会议论文
横向变厚度漂移区SOI LDMOS工艺技术研究
一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型
任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维耐压模型
一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS
郭宇锋的项目
SOI功率器件高K介质横向变宽度三维耐压新技术机理、模型和工艺研究
期刊论文 1
SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
期刊论文 49 会议论文 25 专利 18