位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Developing the Ka-band GaN power HEMT devices
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 会议名称：2012 5th Global Symposium on Millimeter-Waves, GSMM 2012
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：GaN HEMT中电致发光与器件性能关系研究
作者： Zhou, J.J.1|Dong, X.1|Kong, C.1|Kong, Y.C.1|Ren, C.J.1|Li, Z.H.1|Chen, T.S.1|Chen, C.1|Zhang, B.1|
同会议论文项目
GaN HEMT中电致发光与器件性能关系研究
期刊论文 16 会议论文 3 专利 2
同项目会议论文
Two-terminal electroluminescence of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Power GaN HEMT on Si Substrate with Al-Content Step-Graded AlGaN Transition Layers