欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Bandengineering of Dirac surface states in topological-insulator-based van derWaals heterostructures
ISSN号:0031-9007
期刊名称:Physical Review Letters
时间:2015.9.25
页码:136801-136801
相关项目:高质量本征拓扑绝缘体薄膜生长及其化学势调控
作者:
12)Cui-Zu Chang, Peizhe Tang, Xiao Feng, Kang Li, Xu-Cun Ma,|
同期刊论文项目
高质量本征拓扑绝缘体薄膜生长及其化学势调控
期刊论文 15
同项目期刊论文
Experimental proof of universal conductance fluctuation in quasi-one-dimensional epitaxial Bi2Se3 wi
Weak antilocalization and conductance fluctuation in a submicrometer-sized wire of epitaxial Bi2Se3
Massacquisition of Dirac fermions in magnetically doped topological insulator Sb2Te3 films