中文摘要：

在拓扑绝缘体研究领域，拓扑绝缘体化学势（费米能级）的位置对探测拓扑绝缘体的新奇性质具有重要的影响。高质量本征拓扑绝缘体（其化学势位于导带和价带之间，仅仅穿过拓扑表面态）的材料制备是实现拓扑绝缘体许多新奇性质的基础。在本项目中，我们将运用分子束外延技术制备拓扑绝缘体Bi2Se3和Sb2Te3薄膜，通过原子替代、掺杂、缺陷控制和衬底选择等多种途径系统地研究拓扑绝缘体薄膜化学势的调控问题，建立原子替代和掺杂的物理机制以及缺陷动力学控制的一般规律，争取实现化学势与狄拉克点重合的本征拓扑绝缘体材料。此项研究一方面可以加深人们对拓扑绝缘体Bi2Se3和Sb2Te3材料中原子替代、掺杂机制和缺陷动力学的理解，另一方面为进一步研究拓扑绝缘体的新奇性质奠定实验基础。

结论摘要：

在拓扑绝缘体研究领域，拓扑绝缘体化学势（费米能级）的位置对探测拓扑绝缘体的新奇性质具有重要的影响。高质量本征拓扑绝缘体（其化学势位于导带和价带之间，仅仅穿过拓扑表面态）的材料制备是实现拓扑绝缘体许多新奇性质的基础。在本项目中，我们将运用分子束外延技术制备拓扑绝缘体Bi2Se3和Sb2Te3薄膜，通过原子替代、掺杂、缺陷控制和衬底选择等多种途径系统地研究拓扑绝缘体薄膜化学势的调控问题，建立原子替代和掺杂的物理机制以及缺陷动力学控制的一般规律，争取实现化学势与狄拉克点重合的本征拓扑绝缘体材料。此项研究一方面可以加深人们对拓扑绝缘体Bi2Se3和Sb2Te3材料中原子替代、掺杂机制和缺陷动力学的理解，另一方面为进一步研究拓扑绝缘体的新奇性质奠定实验基础。