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高温退火对HfOxNy/Si 栅介质体系化学态及能及结构的影响
  • ISSN号：0022-3727
  • 期刊名称：Journal of Physics D: Applied Physics
  • 时间：2012.8.8
  • 页码：335103-335108
  • 相关项目：高K栅介质HfOxNy薄膜的制备及其在顶栅结构石墨烯场效应晶体管中的应用研究
作者： 王秀娟|
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