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不同氮含量对HfTiON薄膜界面，光学特性及带隙偏移的影响
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：2011.7.7
  • 页码：024110-024115
  • 相关项目：高K栅介质HfOxNy薄膜的制备及其在顶栅结构石墨烯场效应晶体管中的应用研究
作者： 刘毛|方明|王秀娟|
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高K栅介质HfOxNy薄膜的制备及其在顶栅结构石墨烯场效应晶体管中的应用研究
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