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溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O484[理学—固体物理;理学—物理] TN304.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 相关基金：国家自然科学基金(批准号:60276044,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
作者： 马全宝[1], 朱丽萍[1], 叶志镇[1], 何海平[1], 王敬蕊[1], 胡少华[1], 赵炳辉[1]
关键词： ZNO:GA, 透明导电氧化物薄膜, 磁控溅射, 光电特性
中文摘要：

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754