位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Atomic Force Microscopy on the Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapo
  • 期刊名称：Chin Phys Lett
  • 时间：0
  • 页码：1998,15,724
  • 语言：英文
  • 相关项目：单晶金刚石薄膜/立方氮化硼半导体异质结的制备与研究
作者： 高春晓|
同期刊论文项目
单晶金刚石薄膜/立方氮化硼半导体异质结的制备与研究
期刊论文 6
同项目期刊论文
高温高压金刚石单晶生长界面研究
Epitaxial Growth of High Quality diamond Film on Cubic Boron Nitride Surface by Chemical Vapor Depos
Wurtzite Boron Nitride Crystal Growth in the Region of Cubic Boron Nitride Crystal Synthesizing
Orthogonal alignment InAs islands formation on GaAs tensile strained layer grown on (001) InP substr
片状立方氮化硼合成及其导电特性研究